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M2S1G64CBH8A4P-CG IC产品资料

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M2S1G64CBH8A4P-CG IC产品资料
资料编号:
498911
资料标题:
M2S1G64CBH8A4P-CG
品 牌:
ELIXIR
点击次数:
323
文件大小:
660
资料属性:
....

M2S1G64CBH8A4P-CG 资料标题简介

Based on DDR3-800/1066 64Mx16 (1GB) / 128Mx8 (2GB) SDRAM A-Die

M2S1G64CBH8A4P-CG 资料关键信息

Features ?Performance: Speed Sort PC3-8500 PC3-10660 Unit -BE -CG DIMM CAS Latency 7 9 fck – Clock Freqency 533 667 MHz tck – Clock Cycle 1.875 1.5 ns fDQ – DQ Burst Freqency 1066 1333 Mbps ? 204-Pin Small Outline Dual In-Line Memory Module (SO-DIMM) ? 1GB: 128Mx64 Unbuffered DDR3 SO-DIMM based on 64Mx16 DDR3 SDRAM A-Die devices. ? 2GB: 256Mx64 Unbuffered DDR3 SO-DIMM based on 128Mx8 DDR3 SDRAM A-Die devices. ? Intended for 533MHz/667MHz applications ? Inputs and outputs are SSTL-15 compatible ? VDD = VDDQ = 1.5V ±?0.075V ? SDRAMs have 8 internal banks for concurrent operation ? Differential clock inputs ? Data is read or written on both clock edges ? DRAM DLL aligns DQ and DQS transitions with clock transitions. ? Address and control signals are fully synchronous to positive clock edge ? Programmable Operation: - DIMM ??? Latency: 6,7,8,9 - Burst Type: Sequential or Interleave - Burst Length: BC4, BL8 - Operation: Burst Read and Write ? Two different termination values (Rtt_Nom & Rtt_WR) ? 13/10/2 (row/column/rank) Addressing for 1GB ? 14/10/2 (row/column/rank) Addressing for 2GB ? Extended operating temperature rage ? Auto Self-Refresh option ? Serial Presence Detect ? Gold contacts ? 1GB: SDRAMs are in 96-ball BGA Package ? 2GB: SDRAMs are in 78-ball BGA Package ? RoHS compliance

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M2S1G64CBH8A4P-CG ELIXIR Based on DDR3-800/1066 64Mx16 (1GB) / 128Mx8 (2GB) SDRAM A-Die 660
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