三菱射频场效应管
三菱射频场效应管
RD07MVS1 - Silicon MOSFET Power Transistor,175MHz,520MHz,7W - Mitsubishi Electric Semiconductor
RD07MVS1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF power amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>7W, Gp>10dB@Vdd=7.2V,f=520MHz High Efficiency: 60%typ. (175MHz) High Efficiency: 55%typ. (520MHz) APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF band mobile radio sets.>
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型号 | 厂商 | 封装 | 描述 | 资料 | 采购 |
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RD07MVS1 | Mitsubishi | SLP | 三菱射频场效应管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC3103 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC4240 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC3104 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC3018 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC2975 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC3379 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC3001 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS2 | Mitsubishi | SLP | 射频场效应三极管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SK2974 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
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RD07MVS1/2SC2974 | Mitsubishi | SMD | 高频发射管 | ![]() |
型号 | 厂商 | 描述 | 文件大小 | 下载 |
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RD07MVS1 | MITSUBISHI | HF/VHF/UHF/900MHz | 208 |
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